1Т806Б

Покупаем транзисторы 1Т806Б из складских неликвидов организаций и предприятий, производственных запасов, складских остатков промышленных предприятий.

1Т806Б
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Основные технические характеристики транзистора 1Т806Б:
Структура: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт
fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 100 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом

Предложения просьба отправлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях, просим, указывайте: наличие упаковки, производителя, маркировку деталей, количество и условия хранения.