2П307Г

Выкуп транзисторов типа 2П307Г - ваше количество из невостребованного имущества, производственных неликвидов, складских резервов промышленного назначения.

2П307Г
Транзисторы 2П307Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Основные технические характеристики транзистора 2П307Г:
Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1,5... 6 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В
Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА
Iс нач - Начальный ток стока: не более 24 мА
S - Крутизна характеристики: 6... 12 мА/В (10В)
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц

Все предложения просьба отправлять на наш электронный адрес.
В предложениях, просим, уточняйте: объем предлагаемой партии, состояние, есть ли заводская упаковка и маркировку товара.