2П350Б

Срочно выкупаем транзисторы серии 2П350Б - любое ваше количество из производственных запасов, сверхнормативных остатков промышленных предприятий и организаций.

2П350Б
Транзисторы 2П350Б кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы КП350А, КП350Б, КП350В на торцевой поверхности корпуса дополнительно маркируются двумя черными точками.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Основные технические характеристики транзистора 2П350Б:
Структура транзистора: с двумя изолированными затворами и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,17... 6 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В
Iс - Ток стока (постоянный): 30 мА
Iс нач - Начальный ток стока: не более 3,5 мА
S - Крутизна характеристики: не менее 6 мА/В (10В 10мА)
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,07 пФ
С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 6 пФ
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 5 дБ на частоте 100 МГц

Предложения просьба направлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях указывайте: условия хранения, год выпуска транзисторов и состояние.