2П909Б

Закупаем транзисторы 2П909Б из резервов, производственных неликвидов промышленного назначения.

2П909Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П909А, 2П909Б, 2П909В, 2П909Г предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах.
Транзисторы 2П909В, 2П909Г предназначены для работы в составе гибридных микросхем и используются без фланца.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Основные технические характеристики транзистора 2П909Б:
Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом
Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 50 Вт
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В
Iс - Ток стока (постоянный): 4 А
S - Крутизна характеристики: 350... 900 мА/В
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 125 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 6 пФ
С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 60 пФ

Все предложения просьба направлять на электронный адрес.
В своих предложениях уточняйте: условия хранения, объем предлагаемой вами партии, дата выпуска товара, производителя и есть ли заводская упаковка у деталей.