2Т384АМ-2

Срочный выкуп транзисторов 2Т384АМ-2 - все что у вас накопилось из сверхнормативных резервов промышленных предприятий, производственных неликвидов промышленного назначения.

2Т384АМ-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в системах памяти ЭВМ и импульсных переключающих устройствах наносекундного диапазона в составе герметизированных микросхем.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием на керамическом 2Т384А-2, КТ384А и металлическом 2Т384АМ-2, КТ384АМ кристаллодержателях.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей проводить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе не более 0,015 г, на металлическом - не более 0,004 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т384АМ-2:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 450 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (5кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 180
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ

Все предложения просим направлять на электронный адрес.
В своих предложениях отображайте: маркировку товара, объем партии транзисторов, состояние товара, дата выпуска и производителя.