2Т396А-2

Регулярно приобретаем транзисторы серии 2Т396А-2 из складских неликвидов организаций, производственных остатков.

2Т396А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначен для применения в усилителях сверхвысоких частот.
Транзисторы 2Т396А-2, КТ396А-2 бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Транзистор КТ386А9 выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,003 г, транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,05 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т396А-2:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 30 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2100 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 40 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 250
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс

Все предложения просьба отправлять по любым контактам.
В своих предложениях, пожалуйста, указывайте: производителя, год выпуска транзисторов типа 2Т396А-2, маркировку товара, объем партии деталей и есть ли фабричная упаковка.