2Т637А-2

Выкупаем транзисторы 2Т637А-2 из неликвидов промышленного назначения, производственных запасов, сверхнормативных резервов.

2Т637А-2
Транзисторы 2Т637А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием с гибкими выводами на кристаллодержателе.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т637А-2:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1300 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА (30В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...140
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,5 пФ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,5 Вт на частоте 3 ГГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 3 пс

Предложения просьба направлять по нашим контактам.
В своих предложениях указывайте: маркировку товара, производителя, состояние деталей и год выпуска.