2Т653Б

Выкуп транзисторов 2Т653Б - все что у вас есть из складских неликвидов промышленного назначения, производственных резервов промышленного назначения.

2Т653Б
Транзисторы 2Т653Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т653Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (120В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 80...250
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом

Предложения просим направлять на email.
В своих предложениях, пожалуйста, указывайте: год выпуска, состояние, наличие упаковки у изделий, условия хранения и производителя.