2Т665А-9

Приобретаем транзисторы типа 2Т665А-9 из производственных запасов организаций, невостребованных активов.

2Т665А-9
Транзисторы 2Т665А-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются условными знаками:
2Т665А9 - 2А,
2Т665Б9 - 2Б,
КТ665А9 - КА,
КТ665Б9 - КБ.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т665А-9:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 мГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (100В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 250
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом

Предложения просьба отправлять на электронный адрес.
В своих предложениях уточняйте: состояние, год выпуска и условия хранения деталей.