2Т704Б

Срочно покупаем транзисторы серии 2Т704Б - все что у вас накопилось из сверхнормативных запасов промышленного назначения, складских остатков, неликвидов промышленного назначения.

2Т704Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
Транзисторы 2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Масса транзистора не более 20 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т704Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 мГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2,5 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 100
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом

Все предложения просьба направлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях, пожалуйста, отображайте: дата выпуска, количество транзисторов, маркировку, наличие фабричной упаковки у транзисторов и фирму производителя деталей.