2Т928Б

Приобретаем транзисторы серии 2Т928Б из сверхнормативных остатков, складских неликвидов организаций, невостребованных активов промышленного назначения.

Транзисторы 2Т928Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 3 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т928Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 250 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,2 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 200
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 250 нс

Все ваши предложения просьба отправлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях отображайте: состояние, маркировку изделий, дата выпуска изделий, фирму производителя товара и условия хранения изделий.