2ТС613Б

Выкупаем транзисторы 2ТС613Б - любое количество из производственных остатков промышленного назначения, невостребованного имущества предприятий и организаций.

2ТС613Б
Транзисторные матрицы 2ТС613Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса матрицы не более 4 г.
Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС613Б:
Структура транзисторной сборки: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 800 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мкА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 100 нс

Все предложения просьба направлять на нашу электронную почту.
В предложениях, просим, отображайте: дата выпуска, производителя товара, состояние и маркировку.