КП303В

Регулярно приобретаем транзисторы КП303В из сверхнормативных остатков предприятий и организаций, невостребованного имущества.

КП303В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И, КП303Д, КП303Е и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В, КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г, КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КП303В:
Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1... 4 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В
Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА
Iс нач - Начальный ток стока: не более 5 мА
Iс ост - Остаточный ток стока: 5 мА
S - Крутизна характеристики: 2... 5 мА/В
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 20 дБ на частоте 1 кГц

Ваши предложения просьба отправлять по нашим контактам.
В предложениях уточняйте: есть ли фабричная упаковка у транзисторов, дата выпуска, производителя, количество и условия хранения.