КТ321Б

На постоянной основе приобретаем транзисторы серии КТ321Б из невостребованного имущества предприятий, резервов промышленного назначения, сверхнормативных запасов.

КТ321Б
Транзисторы КТ321Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ321Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40... 120
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом

Все предложения просим отправлять на электронную почту.
В предложениях, пожалуйста, указывайте: производителя деталей, маркировку изделий, условия хранения, состояние и объем партии.