КТ646Б

Регулярно приобретаем транзисторы серии КТ646Б из производственных запасов, производственных неликвидов.

КТ646Б
Транзисторы КТ646Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жестки ми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ646Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (40В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 150... 200
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 120 пс

Предложения просьба отправлять на наш электронный адрес.
В предложениях, пожалуйста, указывайте: производителя, условия хранения транзисторов и дата выпуска.