КТ8116Б

Выкуп транзисторов типа КТ8116Б - любое ваше количество из производственных запасов предприятий, сверхнормативных резервов, производственных остатков промышленного назначения.

КТ8116Б
Транзисторы КТ8116Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора :
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 65 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 16 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,2 мА (100В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 1000
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,7 Ом

Все ваши предложения просим отправлять по любым нашим контактам.
В своих предложениях, пожалуйста, уточняйте: условия хранения транзисторов, год выпуска, есть ли фабричная упаковка, состояние и маркировку.