КТ816В

На постоянной основе приобретаем транзисторы типа КТ816В из складских резервов, складских неликвидов.

КТ816В
Транзисторы КТ816В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ816В:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом

Все предложения просьба отправлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях, пожалуйста, уточняйте: производителя, есть ли упаковка у и условия хранения.