КТ857А

Регулярно закупаем транзисторы КТ857А из складских неликвидов, невостребованных активов, резервов промышленного назначения.

КТ857А
Транзистор КТ857А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.
Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 3 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ857А:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 250 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (250В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 7,5
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 2500 нс

Все предложения просьба отправлять по контактам.
В предложениях, просим, уточняйте: условия хранения, объем партии, производителя транзисторов, состояние и есть ли фабричная упаковка у деталей.