КТ920В

Регулярно приобретаем транзисторы КТ920В из складских остатков, невостребованного имущества, сверхнормативных запасов.

КТ920В
Транзисторы КТ920В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ920В:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 400 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 7,5 мА (36В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 175 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс

Ваши предложения просьба отправлять по любым нашим контактам.
В предложениях, просим, указывайте: маркировку изделий, есть ли упаковка у изделий, состояние, дата выпуска и условия хранения транзисторов.