КТ926Б

Выкупаем транзисторы серии КТ926Б из сверхнормативных остатков предприятий, резервов, производственных запасов.

КТ926Б
Транзисторы КТ926Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных модуляторах.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ926Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 51 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 150 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (150В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0.25 Ом

Все ваши предложения просим отправлять по контактам.
В предложениях, пожалуйста, указывайте: количество, маркировку товара, дата выпуска и наличие фабричной упаковки у.