КТ945Б

Приобретаем транзисторы КТ945Б из резервов, неликвидов промышленного назначения, производственных остатков организаций и предприятий.

КТ945Б
Транзисторы КТ945Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Транзисторы 2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В, КТ945Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т945А-5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ945Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менне 50 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 150 В (10Ом)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (150В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1.1 мкс

Все предложения просим отправлять на нашу электронную почту.
В своих предложениях, просим, указывайте: дата выпуска, количество товара, маркировку и состояние.